ASML称中国早已研发国产光刻机，中科院成功研发DUV光源技术 能生产3nm。 产能提不上去，只要是多倍曝光以后，良率一直提不上去，这个问题一直得不到解决，这也是为什么三星，台积电在10nm制程的时候，就采用EUV的原因，现在中芯靠多次曝光实现了N＋2 10nm的制程，付出的代价就是良率提不上来，也就是说除非国产光刻机能突破，否则在10nm及以下工艺，很难做大突破，良率导致产能受限。低端（成熟的28纳米）芯片早已占了三分之一的市场，中端（7纳米左右）的就比较少了，好像才5%左右，等技术可以大批量生产，对世界芯片格局将是一场惊喜（对他们来说就是场灾难）。 主要是7NM的产线设备禁运要解决纯国产产链需要时间，目前产能太小了，需要个爬坡的时间。
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如来神掌
我国1978年即研制出光刻机，用于2-3微米硅片技术节点。经过20-30次重复曝光可以生产2-3纳米芯片。
用户12xxx24 回复 06-08 12:38
20-30次曝光！？万分之一的良品率？
用户17xxx15 回复 06-08 20:05
你记错了，我看当时意林上这么说的是美国的光刻机[滑稽笑]
用户17xxx15
华为多重曝光自适应对准技术已经用在7nm的芯片多重曝光制造中，良率已经92%，所以现在用DUV生产的7nm芯片已经够用了，5nm也在扩产中
用户10xxx99
继续加大课题研究，集中多个科研院所力争突破！！
二马户
别急，别人家用了十几年才搞定的事，我们仅用三两年就能达到这个境地，已经很不错了。就是良品率问题，慢慢调试好，肯定不会用多久时间的，到那时，让那些制裁我们的国家哭去吧！😊😊😊