报告：三星电子将使用“新技术”解决Exynos 2600的散热问题
据确认，三星电子计划为其下一代移动应用处理器（AP）引入一种新的先进封装技术。该技术的核心是在半导体封装内部插入散热材料，预计将提升明年“Galaxy S26”智能手机的性能。
根据29日的行业消息，三星电子正在研发首次将热通道块（HPB）应用于“Exynos 2600”。
Exynos 2600是三星电子目前自主研发的基于2纳米（nm）工艺的移动AP。AP是一种系统级芯片（SoC），集成了CPU、GPU和NPU等多种系统半导体，计划用于明年发布的三星电子旗舰智能手机Galaxy S26系列。
为提升Exynos 2600的性能，三星电子决定首次在封装内部应用HPB。
HPB是一种基于铜的散热器。现有的Exynos型号采用的是在AP上堆叠DRAM的封装（PoP）结构，而HPB将与DRAM一起集成在AP顶部，从而吸收AP产生的热量。
三星电子计划在10月前完成采用该技术的Exynos 2600的质量认证测试。如果开发顺利，预计将立即应用于Galaxy S26系列的量产。
近期，三星电子一直专注于推进封装技术，以增强移动AP的散热特性。这是因为随着移动AP性能的快速提升，半导体产生的热量也在增加。
例如，三星电子从Exynos 2400开始引入了FOWLP（扇出型晶圆级封装）等先进封装技术。
FOWLP是一种将输入/输出端子（I/O）置于半导体芯片外部的技术，在硅晶圆上集成芯片，而非传统的印刷电路板（PCB）。这可以形成更厚的硅层，有利于提升散热性能。即将推出的Exynos 2600也将采用FOWLP技术制造。
此外，三星电子的代工业务计划将下一代工艺（如1.4纳米）的开发推迟至少两年，偏离原定计划。对于遵循三星代工厂尖端工艺路线图的Exynos来说，短期内继续采用2纳米工艺将是不可避免的。因此，后段封装技术对于提升移动AP性能的重要性将超过前端工艺。
