【三星HBM4内存进入试生产阶段】据报道，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。制造方面，三星利用自家4nm技术制造逻辑芯片，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。从行业数据来看，HBM4标准支持高达2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比，HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s，这一显著的提升使得内存系统的数据吞吐能力大幅增强，从而能够更有效地满足人工智能、深度学习、大数据处理以及高性能计算等领域对内存性能的严苛要求。目前，三星的HBM4开发工作正稳步推进，预计将于2025年下半年正式投入量产。
