【三星将推出第10代V-NAND闪存】据媒体报道，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。据悉，三星的这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。三星声称，新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²。此外，三星第10代V-NAND的接口速度达到5.6 GT/s。三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年开始批量生产这种NAND Flash。
