三星即将量产下一代NAND内存，存储芯片市场持续复苏
三星电子内存业务负责人Lee Jung-Bae发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产；该公司还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。他还表示，对于DRAM，三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。
东海证券认为，随着主要存储制造商的持续减产，市场去库存效果已经显现，原厂强势拉涨的决心强烈，上游资源供应明显趋紧，NAND闪存价格将持续保持上涨态势，而DRAM的复苏要稍微晚一些，预估将于今年Q4开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。
