碳化硅MOSFET的工作频率范围显著宽于传统硅基器件，具体数值取决于电压等级、应用场景、拓扑结构和散热条件等多种因素。

总体来看，碳化硅MOSFET的工作频率范围非常广泛。相较于传统硅MOSFET通常局限于60kHz左右的水平，碳化硅MOSFET可轻松实现10kHz至1MHz以上的工作频率。这种高频特性使其在电源转换效率和功率密度上具有革命性优势。

不同电压等级的典型工作频率有所差异。对于650V-1200V中低压等级，在电动汽车牵引逆变器等应用中典型工作频率为20kHz至50kHz。在DAB（双有源桥）变换器等软开关拓扑中，100kHz是常见的工作频率。而在追求极致小型化的场景下，这些器件可稳定运行在数百kHz甚至MHz级别。

对于3300V高压等级，满载条件下的工作频率相对保守，通常为10kHz至100kHz。主流厂商如Wolfspeed、ROHM、Infineon推荐的最佳工作频率为20kHz至50kHz。高压下开关损耗显著增加，散热条件成为主要限制因素。

工作频率的选择需要平衡多个因素。虽然碳化硅材料本身支持极高频率，但在满载条件下，过高的频率会导致开关损耗剧增，可能使器件温升超出安全范围。因此需要在效率、散热和体积之间进行权衡。硬开关拓扑（如Buck/Boost）频率通常较低（10kHz至50kHz），软开关拓扑（如LLC、谐振转换器）可将开关损耗降至最低，允许工作频率提升至50kHz至100kHz甚至更高。

与传统硅器件对比，传统硅基MOSFET工作频率通常限制在60kHz左右，硅IGBT的工作频率普遍低于40kHz，在高压应用中甚至更低。碳化硅器件的高频特性使电源系统中的电容、电感和变压器体积大幅减小，实现小型化与成本优化。

实际应用中的推荐值为：对于650V-1200V器件，在大多数工业应用中，50kHz至200kHz是最常见的选择区间，平衡了体积缩减和损耗控制。对于3300V高压器件，厂商数据手册明确推荐20kHz至50kHz作为满载下的最佳工作频率。

综上所述，碳化硅MOSFET的工作频率具有极大的设计灵活性，从10kHz的稳健型应用到1MHz以上的高频设计均可实现。工程师应根据具体应用的电压等级、功率水平、拓扑结构和散热条件，选择最优工作频率以充分发挥碳化硅器件的性能优势