三极管（BJT）与MOS管（FET）作为两类基础半导体器件，其差异根植于物理结构、载流机制与控制方式，进而决定了全维度性能分野。以下为核心区别要点：

一、控制方式：根本差异

三极管：电流控制型器件。输出电流IC由输入基极电流IB按比例控制（IC = β×IB），基极需持续提供电流，输入阻抗低（kΩ级），驱动功耗显著。

MOS管：电压控制型器件。输出电流ID由栅源电压VGS控制，栅极仅需施加电压，输入阻抗极高（>10⁹Ω），静态驱动电流为零，功耗仅存在于开关瞬态。

二、开关速度：性能鸿沟

三极管：存在载流子存储效应，开关时间50-500ns，关断存储时间ts可达1μs，限制开关频率在100kHz以下。

MOS管：无存储电荷，开关时间5-100ns，现代SiC MOS可达MHz级，开关损耗低，效率在200kHz下仍保持>98%。

三、工作区域命名陷阱

这是最易混淆之处：

三极管"饱和区" = 开关导通态（低VCE）

MOS管"饱和区" = 放大态（恒流区）

三极管"放大区" = 线性放大（Active）

MOS管"线性区" = 开关导通（Ohmic）

记忆口诀：三极管"饱和"是开关，MOS管"饱和"是放大。

四、电气特性对比

输入阻抗：三极管低（kΩ），MOS管极高（GΩ）

导通损耗：三极管VCE(sat)固定0.2-0.5V；MOS管R_DS(on)可低至1mΩ，大电流下MOS管损耗更低

温度特性：三极管VBE负温度系数，β值下降；MOS管R_DS(on)正温度系数，支持自均流

ESD能力：三极管结构坚固（2kV）；MOS管栅氧化层薄，仅耐±20V

五、应用场景

三极管适用：模拟小信号放大（音频前置、运放输入级）、射频功放（LDMOS）、ESD保护、极低成本开关（<1W）

MOS管适用：开关电源（>1W）、电机驱动（>10A）、数字逻辑（CMOS）、射频小信号（GaN HEMT）、负载开关

现代趋势：功率>1W的开关应用几乎全部采用MOS管；数字逻辑完全由MOS管垄断；三极管退守至模拟小信号与极端环境。

六、成本与集成

成本：三极管单价<0.1元，MOS管0.2元至百元（SiC）

集成度：三极管难以CMOS集成；MOS管可集成数百亿个，是CPU、存储器唯一选择

七、选型建议

功率>1W的开关应用：必选MOS管

模拟小信号放大：可保留三极管（低噪声）或选MOS管（高阻抗）

射频功放：>3GHz选GaN MOS，<3GHz可选LDMOS三极管

成本极度敏感：<0.5W场景可考虑三极管

核心总结：控制方式差异是根本，命名陷阱需警惕，开关应用MOS管主导，模拟放大三极管仍有 niche 市场。