8月5日，璞璘科技在其官方微信公众号发文，宣布已于8月1日成功交付中国首台半导体级步进式纳米压印光刻系统——PL-SR。

这标志着我国在纳米压印光刻设备领域实现重大突破，也意味着打破了在该领域长期主导市场日本佳能的垄断。

目前，全球纳米压印光刻（NIL）设备的技术领先者是佳能。2024年9月28日，佳能发布了其最先进的NIL系统FPA-1200NZ2C，该系统支持14nm线宽图形化，最高可用于5nm制程逻辑芯片制造。然而，由于出口限制，该系统已被列入对华禁运范围。

而此次璞璘科技交付的PL-SR系列喷墨步进式纳米压印系统，正是在对标佳能NIL系统的基础上自主研发而成。它的交付不仅打破了国外垄断，也为我国在高端芯片制造设备领域打开了新局面。

图源：璞璘科技

据介绍，PL-SR设备攻克了多项技术瓶颈，包括：步进硬板在非真空环境下实现完全贴合、喷墨式纳米涂胶技术、模板面型精度控制等核心难点。

设备实现了纳米级压印膜厚控制，技术指标达到平均残余层＜10nm，变化＜2nm，压印结构深宽比＞7:1，可满足线宽＜10nm的制程需求。

此外，该设备还具备高精度拼接能力，最小支持20mm×20mm的模板均匀拼接，最终可拓展到12英寸晶圆级超大模板应用。

在高端芯片制造领域，业界对准精度普遍要求突破10nm，甚至逼近1nm。这一指标的实现，意味着其工艺复杂度和研发难度已接近国际主流的EUV光刻系统。

图源：璞璘科技

纳米压印光刻（NIL）是一种替代传统光刻的新型微纳加工技术，其原理并非依赖光或电子辐射，而是通过模具物理压印方式将图案转移到光刻胶上。

压印胶通常是液态聚合物，需在压印时极其柔软，常见类型包括热压型、紫外光固化型和热光混合型。压印完成后，通过脱模实现图案复制。

纳米压印光刻的核心优势在于，它不受光学衍射极限影响，分辨率主要由模板决定（一般采用电子束光刻加工），理论上可突破3nm甚至2nm的图形尺寸限制。

相较EUV光刻，纳米压印在制造成本、能耗以及工艺灵活性方面具有明显优势，尤其适用于存储芯片、硅光芯片、硅基微显示器等特种应用场景。

图源：佳能纳米压印与光学光刻流程对比

纳米压印具备一系列传统光刻难以实现的制造能力，包括：0.3nm级超高分辨率、＜6nm半间距的高密度图形、三维图案成型、无光学散射影响、兼容柔性衬底、大面积复制能力、设备结构简单、能耗低、成本可控等。也因此，它正逐步成为大规模纳米结构制造的关键工艺。

目前纳米压印逐步成为大规模生产纳米结构的关键技术之一，现在已被广泛应用于LED、AR/VR、光学器件、生物医学检测等多个领域。纳米压印已产生数十亿美元的年产值， 而且迅速成长。

消息数据来源：璞璘科技官方