中国在攻克半导体材料世界难题上又有大动作！西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队牛大了。芯片制造中，不同材料层间“岛状”连接结构一直阻碍热量传递，这问题从2014年相关成核技术获诺贝尔奖后就没解决。他们首创“离子注入诱导成核”技术，把“岛状”界面变成原子级平整“薄膜”，新结构界面热阻仅为传统的三分之一。基于此制备的氮化镓微波功率器件，输出功率密度大幅提升。 还有中国科学技术大学联合团队，在新型半导体材料研发上实现可编程、原子级平整“马赛克”式异质结可控构筑，为高性能发光与集成化器件研发开辟新路。太棒啦，期待中国半导体行业一飞冲天！