光子革命：中国造出“铌”盘芯片，量子赛道弯道超车上海交大无锡光子芯片研究院（CH

光子革命：中国造出“铌”盘芯片，量子赛道弯道超车

上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆正式下线。这片闪耀着光泽的晶圆，标志着中国高端光电子核心器件从“技术跟跑”转向“产业领跑”。

薄膜铌酸锂：光子世界的“超级英雄”

薄膜铌酸锂，这个名字听起来有点拗口，但它是光子芯片界的“超级英雄”。它拥有超快的电光效应、超高的带宽和超低的功耗，简直就是为5G通信、量子计算等前沿领域量身打造的材料。

不过，别看性能这么强大，但制备起来可一点也不简单。薄膜铌酸锂材料本身脆性大，想要在大尺寸晶圆上实现均匀的薄膜沉积和纳米级的加工精度，难度堪比在豆腐上刻微雕。

这次CHIPX成功突破了这三大难题，终于建成了国内首条光子芯片中试线，不仅实现了晶圆的规模化量产，还让关键性能指标达到了国际先进水平。

性能怪兽的震撼登场

这片紫色晶圆藏着惊人的能力，调制带宽突破110GHz（可同时传输数百万路4K视频）；插入损耗低于3.5dB；光传输效率飞跃提升。关键指标全面超越国际同类产品。

CHIPX打破从实验室到产业化的瓶颈

此前，我国的光量子技术一直面临“实验室成果难以量产”的困境，这就像一个只会纸上谈兵的“将军”，关键时刻使不上力。而这次，CHIPX通过建设国内首条光子芯片中试线，成功解决了这一“卡脖子”难题。

他们引进了110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了从光刻、薄膜沉积到封装的全闭环工艺。更厉害的是，他们还开发了芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，打通了从实验室到产业化的“最后一公里”。

这条中试线具备了年产12000片晶圆的规模，中国首次在高端光电子器件领域构建“研发-验证-量产”全链条能力。并且计划在今年三季度，CHIPX还将开放PDK工艺设计包，建立标准化光子芯片设计生态。

光子芯片制造已经绕开EUV开拓新的赛道

当全球还在硅基赛道血拼EUV光刻机时，光子芯片开辟了新战场，只需几十纳米级工艺，以深紫外（DUV）光刻与薄膜刻蚀的组合工艺，系统性地解决了晶圆级光子芯片集成的关键技术瓶颈，大大降低了生产难度。

不过这一过程也经历重重困难。从2019年南开大学攻克微加工难题，到2023年制备全球首片6英寸晶圆，终于在铌酸锂战场完成技术攻克。