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固定式锗烷检测仪报警器-半导体制造中GeH4气体泄漏精准监测方案

固定式锗烷检测仪报警器-半导体制造中GeH4气体泄漏精准监测方案在半导体制造业,高纯锗制备、硅锗薄膜材料生产、异质结晶体

固定式锗烷检测仪报警器-半导体制造中GeH4气体泄漏精准监测方案

在半导体制造业,高纯锗制备、硅锗薄膜材料生产、异质结晶体管(HBT)及集成电路制造过程中,锗烷(GeH4)气体的应用极为关键,但其泄漏风险也不容忽视。因此,一套精准高效的GeH4气体泄漏监测方案至关重要。

检测原理

目前,GeH4气体检测仪主要采用电化学、红外、催化燃烧、热导、PID光离子等原理。以电化学原理为例,它通过检测GeH4气体在电极上发生的氧化还原反应产生的电流来确定气体浓度。这种原理的检测仪具有高灵敏度和良好的选择性,能够准确识别GeH4气体。

产品特点

以ERUN-PG51SG3固定式锗烷检测仪为例,它采用2.5寸高清彩屏实时显示浓度,可根据不同气体选用行业内优质品牌的传感器。其坚固耐用的防爆外壳和氟碳漆表面处理工艺,使其适用于各种危险场所和强酸强碱的腐蚀性环境。此外,该检测仪还具备本安电路设计、防爆认证、二级防雷、防静电等特性,抗高强度脉冲浪涌电流冲击能力强,可靠性高。

系统功能

该监测系统可实现24小时连续在线监测GeH4气体浓度及温湿度。当检测到气体浓度超标时,会立即触发声光报警,并可通过远程数据传输功能,将数据实时传输到控制中心或相关人员的移动设备上。系统还能与PLC、DCS等控制系统兼容,实现远程监视和自动化控制。

解决方案

在高纯锗制备车间,应在反应釜、管道接口等关键位置安装固定式检测仪,实时监测GeH4气体泄漏情况。对于硅锗薄膜材料生产区域,由于设备较多、空间复杂,可采用组合式监测方案,即在重点设备周围安装固定式检测仪,同时配备便携式检测仪进行巡检。在异质结晶体管(HBT)及集成电路制造车间,由于对环境要求极高,需安装高精度的检测仪,并设置多级报警,以便在气体浓度微小变化时及时发现。

选点和安装注意要求

检测仪应安装在GeH4气体易泄漏的区域,如管道连接处、阀门附近等。安装高度应根据气体的密度和泄漏点位置确定,一般安装在距地面1.5-2米处。在安装过程中,要确保检测仪的进气口畅通,避免被灰尘、杂物堵塞。同时,要远离强电磁场和高温区域,以免影响检测仪的性能。

执行标准

该检测仪符合EMI、EMC标准,通过国标测试及CMC计量器具许可认证。在使用过程中,应严格按照相关标准进行操作和维护,确保检测结果的准确性和可靠性。

产品参数

检测范围方面,GeH4气体检测仪可覆盖0-1ppm、0-100%LEL等多种量程。检测精度高,误差范围控制在≤±2%F.S。响应时间快速,T90≤20秒。此外,仪器的工作电压为12~30V(DC直流),工作温度范围为-40℃~+70℃,能够适应不同的工作环境。

通过以上方案的实施,能够有效保障半导体制造过程中的安全,降低GeH4气体泄漏带来的风险,为半导体产业的稳定发展提供有力支持。