我国光刻技术正不断取得进展。目前在光刻机领域，和国际顶尖水平比有差距，像ASML的EUV光刻机可造2nm芯片，我们还处于ArF阶段。不过，我们也在积极突破。 说起光刻技术，这玩意儿就是芯片制造的核心环节，简单讲就是用光在硅片上刻出电路图案，越细越先进。咱们国家在这块儿起步晚，基础薄，现在跟国际顶尖的差距确实不小。像荷兰ASML的EUV光刻机，用13.5纳米极紫外光，能轻松搞定2纳米级芯片，全球高端处理器基本都靠它。这边儿呢，咱们主流还卡在ArF浸没式阶段，波长193纳米，分辨率一般到90纳米左右，相当于落后了两三代。为什么这么说？因为ArF设备做7纳米以下就得靠多重曝光，成本高效率低，ASML一家独大，市场份额高达90%以上。国产化率低到2.5%，关键部件还得进口，荷兰政府一卡出口许可，咱们就头疼。这差距不是天生的，而是历史积累和技术壁垒堆出来的，但好在咱们没闲着，从多条路子发力，步步追赶。 先说说主流DUV路径，这是咱们当下最稳的抓手。上海微电子作为国内光刻机老大哥，从2002年建厂起，就咬牙啃硬骨头。他们的600系列设备早几年就实现了90纳米量产，良率稳在95%以上，现在生产线跑得飞起，帮中芯国际这类企业省了不少外汇。2025年，这家公司又推28纳米浸没式DUV，核心部件国产化率超70%，用上华卓精科的双工件台，定位精度1.5纳米，国科精密的投影物镜NA值0.93，光源功率虽比ASML低一半，但实测良率82%，年产计划上百台。9月中国国际工业博览会上，他们头一回公开EUV参数图，光源功率250瓦，分辨率瞄准3纳米，这信号明摆着：原理样机已经搭好，干法DUV测试也启动了。说白了，这不是纸上谈兵，而是实打实的工程化推进，预计2026年市占率能冲到50%。当然，ASML的ArFi和ArF还是碾压级，96%和80%的份额不是白给的，但咱们至少从90纳米站稳脚跟，不再全靠进口。 除了DUV，纳米压印这条路子也冒头了，成本低、精度高，适合特色工艺。杭州璞璘科技今年8月交付首台PL-SR系列喷墨步进式设备，线宽小于10纳米，残余层厚度控制在10纳米以下，深宽比超7:1，已经验证过储存芯片和硅基微显示。啥意思？这设备不靠光刻胶喷墨压印，步进式覆盖大面积晶圆，理论上能下探5纳米以下。以前这块儿被日本佳能垄断，现在咱们自研对标，攻克了非真空贴合和薄胶控制难题，交付后直接上客户线测试。璞璘的团队从2019年起步，专注喷墨涂胶，2025年这步棋走得及时，帮先进封装省钱省力。别小看封装，光刻机国产化不光是前端曝光，后端整合也得跟上。 再看先进封装方向，芯上微装今年2月从上海微电子分拆出来，专攻化合物半导体和晶圆键合。10月湾区半导体博览会上，他们展示新型封装光刻机、激光退火和检测设备，精度对标国际。9月工博会上，这家公司拿下CIIF大奖和集成电路创新成果奖，新一代封装光刻机登场，步进精度高，适用于异质集成。啥是异质？就是不同芯片叠加，手机和AI卡都离不开。芯上微装的机器已交付500台，拓荆和沪硅这类龙头用着顺手。这块儿市场空间大，2025年全球先进封装设备需求翻倍，咱们从分拆起步，就能抢先机，不用从零爬坡。 当然，追赶ASML不是一蹴而就。光学系统、真空腔体这些核心还得进口，功率和稳定性有代际差。美方限制出口，荷兰审批严，但咱们靠国家专项和企业合力，资金投了上千亿。2025年这些进展，证明了路径对头：不硬碰EUV，先从ArF和替代技术切入，逐步填空白。长远看，芯片自主化关乎手机到卫星全链条，差距拉小了，成本降了，安全稳了。咱们国家这几年光刻投入大，人才回流多，产业链从长三角到珠三角全覆盖。