静电放电（ESD）是电子元器件在运输、安装和使用过程中常见的一种现象，它可能导致器件损坏、性能降低或寿命缩短。因此，对电子元器件进行ESD试验至关重要，以确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。AEC-Q102标准中包含了多种ESD试验，其中人体模型（HBM）试验是最为常见的一种。

什么是HBM试验？

HBM试验，即人体模型试验，是一种评估电子器件对由人体产生的静电放电的耐受能力的方法。在HBM试验中，模拟人体通过接触或近距离放电到器件上的情况。试验使用标准化的电荷传递模型和波形，以评估器件在不同电荷水平下的耐受能力。这种测试方法在JEDEC（电子元器件制造商协会）中得以规范化，是评估电子元器件ESD性能的重要标准之一。

以下为HBM试验的结果参考，根据不同电压划分成不同级别：

HBM试验目的

1. 评估器件的ESD耐受性：通过模拟人体静电放电，评估器件在实际使用中可能遇到的ESD事件下的耐受能力。

2. 确保产品可靠性：通过HBM试验，可以提前发现器件的弱点，从而在产品设计和制造过程中进行改进，提高产品的可靠性。

3. 满足行业标准：AEC-Q102标准要求电子元器件必须通过HBM试验，以确保其在汽车电子等领域的应用安全。

配备了先进的ESD测试设备，以满足AEC-Q102标准中的HBM试验要求。

1. LED抗静电能力自动测试系统：专门针对LED静电敏感等级判定要求及特点的自动分析测试系统。它能够实现LED静电、正向电压、反向漏电流测试等功能，快速判定和筛选LED静电敏感等级。

2. 静电放电模拟试验器：评估电气和电子设备、装置或系统遭受静电放电时的性能，满足IEC61000-4-2、ISO10605及GB/T17626.2等最新标准要求。

HBM失效机理及防护

HBM的失效机理主要源于其3D堆叠结构带来的热、电和机械应力挑战。失效机理核心在于：

1) 电迁移：TSV和微凸点因高电流密度和散热不佳，导致金属原子迁移，形成空洞或小丘，引发开路或短路。

2) 热机械应力：不同材料热膨胀系数不匹配，在温度循环下导致微凸点疲劳开裂、底部填充胶分层及TSV铜凸出。

3) 热耦合效应：堆叠结构阻碍散热，使底层DRAM温度过高，加速电介质击穿、晶体管老化和数据保持力下降。

针对这些挑战，防护措施是一个系统工程：

1) 架构设计：采用强大的错误校正码(ECC)和内建自测试与修复机制。

2) 运行监控：集成温度传感器，通过动态热管理实时调控功耗。

3) 先进制造与封装：优化TSV工艺，采用可靠的凸点与底部填充材料，并配备高效散热解决方案（如均热板或液冷）。通过这些多层次策略，共同保障HBM在高压、高温工作环境下的长期可靠性。